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Wednesday, February 24, 2010, Saal II 5:45 PM Prozess- und Produktprüfung II |
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Röntgen-Computertomografie an miniaturisierten Kontaktstellen für die Nano-AVT |
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Martin Oppermann* / TU Dresden
Zentrum für mikrotechnische Produktion, Sachsen Thomas Zerna / TU Dresden, Zentrum für mikrotechnische Produktion, D Klaus-Jürgen Wolter/ TU Dresden, Istitut für Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik, D |
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Die Herausforderung Nano-AVT benötigt neue zerstörungsfreie Prüfverfahren (zfP), um sehr kleine Defekte, wie Mikrorisse, Kirkendall-Voids oder Transportphänomene in miniaturisierten Verbindungsstellen feststellen und charakterisieren zu können. Hochauflösende bildgebende Verfahren werden dazu benötigt. Ein solches, für die gestellte Aufgabe brauchbar erscheinendes Verfahren ist die Röntgen-Computertomografie mit Mikro- und Nanofokus-Röntgenröhren. Was ist Nano-AVT? In der Halbleiterindustrie sind heute Strukturbreiten von 45nm und weniger auf dem Halbleiter möglich. Die ITRS-Roadmap sagt eine weitere Halbierung der Strukturbreiten bei DRAMs über die nächsten zehn Jahre voraus. Die Aufgabe der Nano-AVT ist es nun, diese hochintegrierten Halbleiterbauelemente, die sich durch kleinen Pitch und hohe Anschlusszahlen auszeichnen, auf adäquate Weise in Systeme einzubinden. Diese Systemintegration wird in Zukunft verstärkt in der dritten Dimension stattfinden müssen, um der Herausforderung durch die Halbleiterbauelemente und ihre konstruktiven Interfaces gerecht zu werden. In diesem Kontext wurden im Rahmen des öffentlich geförderten BMBF-Projektes ?Zerstörende und zerstörungsfreie Prüftechnik für die Charakterisierung von nanoskaligen Alterungsmechanismen an hochminiaturisierten Lötverbindungen ? nanoPAL? am Institut für Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik der TU Dresden Untersuchungen zu Möglichkeiten und Grenzen des Einsatzes der Röntgendiagnostik, speziell der Nanofokus-Computertomografie, durchgeführt, über deren Ergebnisse berichtet werden soll. Untersucht wurden die strukturellen Veränderungen und Schädigungen an Lötstellen durch z.B. thermische Wechselzyklen und Elektromogrationsexperimente mit Voxel-Größen (Voxel: dreidimensionales Äquivalent eines Pixels) kleiner als 900nm. |